什么是LGA、PGA、BGA类型的封装？众所周知，CPU封装的类型主要为三种：LGA，PGA，BGA，其中LGA封装是最常见的，intel处理器都是采用这种类型的封装，而PGA封装则是AMD常用的一种封装类型。而今天装机之家帮大家科普一下关于CPU封装的知识，带来LGA、PGA、BGA三种封装方式对比，希望大家会喜欢。什么是CPU的封装？CPU的物理结构由晶圆与PCB加上其他电容等单元构成的。 晶圆至于晶圆为什么是圆的，主要是因为工艺以及后期方便切割以及利用率的考虑。那么切割下来一个小方块就是CPU上的一个晶圆了。 ▲CPU的物理构成。那么一颗CPU晶圆切割下来，与PCB连接，然后加上或者不加上保护盖，这就是一个完整的CPU了。但是！一颗CPU并不能可以工作了，他需要和主板连接，那么这个与主板连接的方式，就叫做封装。（有点小饶，但是相信你可以明白）封装的类型主要为三种：LGA，PGA，BGA。LGA：LGA的全称叫做“land grid array”，或者叫“平面网格阵列封装”。 ▲我们平时常见的Intel CPU基本都采用了这样的封装方式。如：Intel自775之后的所有桌面处理器AMD 皓龙、霄龙、TR等处理器这种封装方式的特点就是触点都在CPU的PCB上，而整个CPU的背部就像网格一样覆盖在CPU背部，而为了能够让主板与CPU连通，主板则承担了提...
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NOR Flash闪存技术是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。通常读取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的写入速度比NOR快很多，在设计中应该考虑这些情况。——《ARM嵌入式Linux系统开发从入门到精通》 李亚峰 欧文盛 等编著 清华大学出版社 P52 注释 API Key性能比较flash闪存是...
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在可程式元件选择众多的今日，您可以轻易地将数百万位元的程式和资料永久地保存在FLASH、EPROM、中，或是将百来颗的传统数位元件塞进一个指甲般大小的CPLD、FPGA、MCU之中；也可以将整个微电脑化为一颗单晶片，这整个过程只需要借助一台编程器就可以完成，下面为大家介绍一下编程器：编程器依使用的需求，大概可以分为研发用和量产用两大类型，不同的使用目的也造就了不同的设计理念和特性，今天我们着重了解量产型编程器。这一类的编程器通常已经归属到生产设备的范畴，售价不是最大的考虑，良率、稳定、产能和服务才是重要的决定因素。影响元件烧录良率的要素有三：编程器、IC的制程更新、操作人员；其中编程器又占了最重的比重，只要设计良好，完全遵守IC厂商规范的烧录演算法（Algorithm）,并随时配合IC制造商的变更，在最短时间内让使用者能有最佳的烧录方法可用，再加上恰到好处的防呆设计，避免操作人员的疏失，如此才造就出了近乎完美的烧录良率。而生产单位不比办公室，除了环境因数之外，一天8小时甚至24小时的长时间使用，编程器的稳定度就决定了您的生产线会不会断线。再者如果您是在烧录FLASH、EPROM或其它大容量的IC就要考到编程器的产出率，在同样合乎IC的规范下快慢的差异可能有数倍之多，考量您的工时和整体产能，产出率也是一大重点。如果前面几点比较起来差异不大，那编程器厂商的快速服务和永久经营就决定了一切...
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3D NAND Flash 作为新一代的存储产品，受到了业内的高度关注！但目前3D NAND仅由三星电子独家量产。而进入了最近两个月，先有东芝（Toshiba）杀入敌营，如今美光（Micron）也宣布研发出3D NAND 芯片，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下句点，加上早前Intel加大在大连工厂的3D Xpoint的投入，3D NAND大战一触即发。什么是3D NAND闪存？从新闻到评测，我们对3D NAND闪存的报道已经非常多了，首先我们要搞懂什么是3D NAND闪存。我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。3D NAND闪存也不再是简单的平面内存堆栈，这只是其中的一种，还有VC垂直通道、VG垂直栅极等两种结构。3D NAND闪存有什么优势？在回答3D NAND闪存有什么优势的时候，我们先要了解平面NAND遇到什么问题了——NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分，为了进一步提高容量、降低成本，NAND的制程工艺也在不断进步，从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND闪存跟处理器不一样，先进工艺虽然带来了更大...
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大功率IGBT�？榫膊问馐砸窍低�-bbin(中国区)官方网站智能科技-STD6500-轨道级电网级应用案例IGBT�？榫膊问馐砸窍低矦测试参数IGEs∶栅极漏流VGE(th)∶栅极发射极阈值电压VCEsat∶集电极发射极饱和电压VF∶二极管正向压降ICEs∶集电极截止电流VCES∶集电极击穿电压IGBT�？榫膊问馐砸窍低矦输出配置集电极电压（VCE）：标配：6500V选配：10KV,6.5KV,4.5KV,3.3KV集电极电流（ICE）：标配：1600A选配：10KA,5KA,2400A,1600A栅极电压（VGE）：40V（选配100V）栅极电流（IGE）：10uA；IGBT模块静参数测试仪系统@系统特点用于大功率IGBT 和 Diode�？榈木蔡绷鞑问馐�。电压10KV,6.5KV,4.5KV,3.3KV；电流10KA,5KA,2400A,1600A；智能化、自动式操作基于“测试主机”“计算机程控系统”“气动工装”协调完成。DUT连接“气动工装”“软连接”均可；操作简单（点按钮，舱门开，手动将DUT放置夹具底座，再点击，夹具底座归舱，舱门关。点击按钮完成测试且数据自动保存）；编程简单（参考器件规格书在软件上编辑“测试程序”）；不同封装形式提供不同的定制“适配器”；可进行室温~200℃高温测试，此项目属于选配；测试结果自动保存为EXCEL文件；安全稳定（PLC对设备工作状态全程实...
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